- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录512 > SI6924AEDQ-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR TSSOP-8
0.092
(2.337)
0.026
(0.660)
0.014
(0.356)
0.012
(0.305)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
Document Number: 72611
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
27
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
SI6926ADQ-T1-GE3
MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP
SI6928DQ-T1-GE3
MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP
SI6933DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
SI6955ADQ-T1-GE3
MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP
SI6966DQ-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
SI6966EDQ-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP
SI6967DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH DUAL G-S 8V 8TSSOP
SI6969BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP
相关代理商/技术参数
SI6924EDQ
制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection
SI6924EDQ-T1
功能描述:MOSFET 28V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6925ADQ
制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6925ADQ_08
制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6925ADQ-T1-E3
功能描述:MOSFET 20V 3.9A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6925ADQ-T1-GE3
功能描述:MOSFET 20V 3.9A 1.13W 45mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6925DQ
制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6925DQ-T1
功能描述:MOSFET 20V 3.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
